Hiina teadlaste meeskond on välja töötanud platvormi, mis on esmakordselt maailmas realiseerinud kõrgsurve in situ kvantmagnettuvastuse, mis põhineb ränikarbiidi vabade defektide alusel.
See meetod võib valgustada ülijuhtivuse taga olevat mehhanismi, mis on teatud materjalide võime juhtida alalisvoolu elektrit ilma energiakadudeta teatud tingimustel, sealhulgas kõrge rõhu korral. Samuti võib see sillutada teed uute kvantmaterjalide uurimisele.
Ajakirjas Nature Materials avaldatud uuringu kohaselt jälgisid nad optiliselt tuvastatud magnetresonantstehnoloogiat kasutades magneti rõhust põhjustatud magnetfaasi üleminekut ligikaudu seitsme gigapaskali juures.
Töö on “üsna huvitav” ja võib “avada ukse uutele kvantmaterjalide uuringutele”, ütles paberi ekspertretsensent.
Illustratsioonipilt avaldatud uuringust: a. Moissaniidi alasi elemendi skemaatiline diagramm ja magnetnäidiste tuvastamine madalate räni vabade defektide järgi; b. Räni vabade defektide nullvälja jagamise seos rõhuga; c. Nd2Fe14b materjalide magnetfaasisiirde tuvastamine; d. YBCO ülijuhtiva materjali Tc-P faasiskeem; e. Illustratsioon kõrgsurve in situ magnettuvastusest, mis põhineb ränikarbiidi vabade tühikute defektidel. /HFIPS
Teadlased, mida juhivad Hiina Teaduste Akadeemia Hefei Füüsikaliste Teaduste Instituutide (HFIPS) ja Hiina Teaduste ja Tehnoloogiaülikooli eksperdid, kasutasid ioonide implanteerimist, et tekitada töödeldud räni pinnale madalaid räni vabade defektide teket. karbiidist alasi, et vältida kõrgrõhuanduri temperatuurikõikumiste probleemi.
(Xinhua sisendiga)
